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科研机构
上海微系统与信息技术... [7]
内容类型
期刊论文 [7]
发表日期
2012 [1]
2010 [1]
2006 [2]
2005 [2]
2004 [1]
学科主题
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学科主题:Engineering
专题:上海微系统与信息技术研究所
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Stacked-Spiral RF Inductor With Vertical Nano-Powder Magnetic Core in CMOS
期刊论文
IEEE MICROWAVE AND WIRELESS COMPONENTS LETTERS, 2012, 卷号: 22, 期号: 1, 页码: 29-31
Zhan, J
;
Yang, C
;
Wang, X
;
Zhang, F
;
Ren, TL
;
Wang, A
;
Yang, Y
;
Liu, LT
;
Yang, LW
;
Yue, ZX
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/04/17
CMOS
nano powder
vertical magnetic core
Characterization and analysis of silicon on insulator fabricated by separation by implanted oxygen layer transfer
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2010, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: 163-168
Wei,X
;
Wu,AM
;
Wang,X
;
Li,XY
;
Ye,F
;
Chen,J
;
Chen,M
;
Zhang,B
;
Li,CL
;
Zhang,M
;
Wang,X
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2012/03/24
LOW-DOSE SEPARATION
PSEUDO-MOS TRANSISTOR
BURIED OXIDE LAYERS
THERMAL-OXIDATION
WAFERS
SOI
FILM
SOICMOS
Impact of thermal behavior on offset in a High-Q gyroscope
期刊论文
DTIP 2006: Symposium on Design,Test, Integration and Packaging of MEMS/MOEMS 2006, 2006, 期号: 2, 页码: 127-130
Duan, F
;
Jiao, JW
;
Wang, YL
收藏
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2011/12/17
Analysis and characterization of the injection efficiency tuning IGBT
期刊论文
SOLID-STATE ELECTRONICS, 2006, 卷号: 50, 期号: 5, 页码: 813-820
Zhang,F
;
Shi,LN
;
Zhang,L
;
Li,CF
;
Wang,W
;
Yu,W
;
Sun,XW
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2011/12/17
GATE BIPOLAR-TRANSISTOR
Hydrogen effects on fabrication of SGOI by oxidation of SiGe layers on SOI wafers
期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2005, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: L1-L4
Cheng,XL
;
Lin,ZL
;
Wang,YJ
;
Xiao,HB
;
Zhang,F
;
Zou,SC
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2012/03/24
SIMOX TECHNOLOGY
SILICON
MOSFETS
OXYGEN
Compact integrated star coupler on silicon-on-insulator
期刊论文
IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS, 2005, 卷号: 17, 期号: 12, 页码: 2616-2618
Cao,GB
;
Dai,LJ
;
Wang,YJ
;
Jiang,J
;
Yang,H杨辉
;
Zhang,F
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/03/24
WAVE-GUIDES
FABRICATION
Ge condensation characterization of SiGe-On-Insulator structure fabricated by separation of oxygen implantation
期刊论文
2004: 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, VOLS 1- 3, PROCEEDINGS, 2004, 期号: 0, 页码: 2187-2189
Chen,ZJ
;
Zhang,F
;
Zhang,ZX
;
Bo,J
;
Wang,X
;
Zou,SC
收藏
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2012/03/24
STRAINED-SI
MOBILITY ENHANCEMENT
SIMOX TECHNOLOGY
ELECTRON
SILICON
MOSFETS
LAYER
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