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科研机构
半导体研究所 [3]
内容类型
期刊论文 [3]
发表日期
2009 [1]
2005 [1]
2002 [1]
学科主题
半导体物理 [3]
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学科主题:半导体物理
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Anomalous Pressure Behavior of N-Cluster Emissions in GaAs0.973Sb0.022N0.005
期刊论文
chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 12, 页码: art.no.127101
Wang, WJ (Wang Wen-Jie)
;
Deng, JJ (Deng Jia-Jun)
;
Fu, XQ (Fu Xing-Qiu)
;
Hu, B (Hu Bing)
;
Ding, K (Ding Kun)
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浏览/下载:230/52
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提交时间:2010/03/08
TEMPERATURE-DEPENDENCE
Synthesis of GaN nanotip triangle pyramids on 3C-SiC epilayer/Si substrates via an in situ In-doping technique
期刊论文
journal of chemical physics, 2005, 卷号: 122, 期号: 10, 页码: art.no.104713
Dai L
;
Liu SF
;
Fu ZX
;
You LP
;
Zhu JJ
;
Lin BX
;
Zhang JC
;
Qin GG
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/03/17
GALLIUM NITRIDE NANOWIRES
Mechanisms of the sidewall facet evolution in lateral epitaxial overgrowth of GaN by MOCVD
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2002, 卷号: 35, 期号: 21, 页码: 2731-2734
作者:
Zhao DG
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浏览/下载:40/0
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提交时间:2010/08/12
VAPOR-PHASE EPITAXY
DEPOSITION
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