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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Photoluminescence and lasing properties of InAs/GaAs quantum dots grown by metal-organic chemical vapour deposition 期刊论文 chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 11, 页码: 4300-4304 作者:  Liang S;  Pan JQ 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/03/08 metal-organic chemical vapour deposition   Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells 期刊论文 journal of crystal growth, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 336-341 作者:  Zhang YH;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：284/63  |  提交时间：2010/03/09 molecular beam epitaxy   Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells 会议论文 international conference on materials for advanced technologies, singapore, singapore, dec 07-12, 2003 作者:  Zhang YH;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2010/11/15 molecular beam epitaxy  quantum wells  GaAsSb/GaAs  GAAS  LASERS  GAIN   Optical study on the coupled GaAsSb/GaAs double quantum wells 会议论文 conference on optoelectronic and microelectronic materials and devices (commad), sydney, australia, dec 11-13, 2002 作者:  Jiang DS;  Zhang Y;  Zhang Y 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2010/10/29 LASERS  GAIN  GAAS   Anomalous temperature dependence of photoluminescence in GaInNAs/GaAs multiple quantum wells 期刊论文 chinese physics letters, 2002, 卷号: 19, 期号: 8, 页码: 1203-1206 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2010/08/12 BAND  LUMINESCENCE  GAAS  LOCALIZATION  EMISSION  BEHAVIOR  SHIFT  INGAN   The influence of nitrogen clustering effect on optical transitions in GaInNAs/GaAs quantum wells 会议论文 international workshop on nitride semiconductors (iwn 2002), aachen, germany, jul 22-25, 2002 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：16/2  |  提交时间：2010/10/29 LUMINESCENCE  LOCALIZATION   Lasing of CdSexS1-x quantum dots in a glass spherical microcavity 期刊论文 journal of physics-condensed matter, 2002, 卷号: 14, 期号: 25, 页码: 6395-6401 作者:  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：45/0  |  提交时间：2010/08/12 LASER  PHOTOLUMINESCENCE