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科研机构
半导体研究所 [21]
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期刊论文 [17]
会议论文 [4]
发表日期
2016 [1]
2012 [1]
2011 [1]
2010 [1]
2008 [4]
2004 [2]
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学科主题
半导体物理 [21]
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学科主题:半导体物理
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Raman spectroscopy of atomically thin two-dimensional magnetic iron phosphorus trisulfide (FePS3) crystals
期刊论文
2d materials, 2016, 卷号: 3, 期号: 3, 页码: 031009
Xingzhi Wang
;
KezhaoDu
;
Yu Yang Fredrik Liu
;
PengHu
;
Jun Zhang
;
Qing Zhang
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Man Hon Samuel Owen
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Xin Lu
;
Chee Kwan Gan
;
Pinaki Sengupta
;
Christian Kloc
;
Qihua Xiong
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浏览/下载:115/0
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提交时间:2017/03/16
Polarization-induced remote interfacial charge scattering in Al2O3/AlGaN/GaN double heterojunction high electron mobility transistors
期刊论文
applied physics letters, 2012, 卷号: 100, 期号: 13, 页码: 132105
Ji, D
;
Liu, B
;
Lu, YW
;
Liu, GP
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2013/03/20
Ferromagnetic nature of (Ga, Cr)As epilayers revealed by magnetic circular dichroism
期刊论文
solid state communications, 2011, 卷号: 151, 期号: 6, 页码: 456-459
Wu H
;
Gan HD
;
Zheng HZ
;
Lu J
;
Zhu H
;
Ji Y
;
Li GR
;
Zhao JH
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浏览/下载:64/5
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提交时间:2011/07/05
Magnetic semiconductors
Molecular beam epitaxy
Magneto-optical effects
TRANSPORT-PROPERTIES
SEMICONDUCTOR
(GA,CR)AS
Growth Parameter Dependence of Structural Characterizations of Diluted Magnetic Semiconductor (Ga, Cr)As
会议论文
international magnetics conference (intermag), madrid, spain, may 04-08, 2008
作者:
Gan HD
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浏览/下载:65/0
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提交时间:2010/03/09
Magnetic analysis
The influence of Schottky contact metals on the strain of AlGaN barrier layers
期刊论文
journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 4, 页码: art. no. 044503
Lin, ZJ
;
Zhao, JZ
;
Corrigan, TD
;
Wang, Z
;
You, ZD
;
Wang, ZG
;
Lu, W
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浏览/下载:51/2
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提交时间:2010/03/08
PIEZOELECTRIC POLARIZATION
HETEROSTRUCTURES
Circular photogalvanic effect at inter-band excitation in InN
期刊论文
solid state communications, 2008, 卷号: 145, 期号: 4, 页码: 159-162
Zhang, Z
;
Zhang, R
;
Liu, B
;
Xie, ZL
;
Xiu, XQ
;
Han, R
;
Lu, H
;
Zheng, YD
;
Chen, YH
;
Tang, CG
;
Wang, ZG
收藏
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浏览/下载:67/2
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提交时间:2010/03/08
InN
photogalvanic
inter-band transition
Structural properties of ne implanted GaN
期刊论文
physica scripta, 2008, 卷号: 77, 期号: 3, 页码: art. no. 035601
作者:
Zhu JJ
;
Yang H
;
Liu W
;
Liu W
;
Lu GJ
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浏览/下载:45/2
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提交时间:2010/03/08
RAMAN-SCATTERING
Growth Parameter Dependence of Structural Characterizations of Diluted Magnetic Semiconductor (Ga, Cr)As
期刊论文
ieee transactions on magnetics, 2008, 卷号: 44, 期号: 11, 页码: 2692-2695
作者:
Gan HD
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浏览/下载:171/43
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提交时间:2010/03/08
Magnetic analysis
magnetic semiconductors
molecular-beam epitaxial growth
Generation and behavior of pure-edge threading misfit dislocations in InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2004, 卷号: 96, 期号: 9, 页码: 5267-5270
作者:
Li DB
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浏览/下载:52/17
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提交时间:2010/03/09
VAPOR-PHASE EPITAXY
Effect of critical thickness on structural and optical properties of InxGa1-xN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2004, 卷号: 95, 期号: 8, 页码: 4362-4366
Lu, W
;
Li, DB
;
Li, CR
;
Shen, F
;
Zhang, Z
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浏览/下载:303/45
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提交时间:2010/03/09
CRITICAL LAYER THICKNESS
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