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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体物理    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Doped polycrystalline 3C-SiC films deposited by LPCVD for radio-frequency MEMS applications 期刊论文 chinese physics letters, 2008, 卷号: 25, 期号: 6, 页码: 2269-2272 Zhao, YM; Sun, GS; Ning, J; Liu, XF; Zhao, WS; Wang, L; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION   Valence band offset of MgO/4H-SiC heterojunction measured by x-ray photoelectron spectroscopy 期刊论文 applied physics letters, 2008, 卷号: 93, 期号: 7, 页码: art. no. 072110 作者:  Wei HY 收藏  |  浏览/下载：83/0  |  提交时间：2010/03/08 MOLECULAR-BEAM EPITAXY   The effects of pre-irradiation on the formation of Si1-xCx alloys 期刊论文 acta physica sinica, 2001, 卷号: 50, 期号: 7, 页码: 1329-1333 Wang YS; Li JM; Wang YB; Wang YT; Sun GS; Lin LY 收藏  |  浏览/下载：83/9  |  提交时间：2010/08/12 ion implantation  solid phase epitaxy  Si1-xCx alloy  SI  IMPLANTATION  CARBON   CONTROLLING OF SCHOTTKY-BARRIER HEIGHTS FOR AU/N-GAAS AND TI/N-GAAS WITH HYDROGEN INTRODUCED AFTER METAL-DEPOSITION BY BIAS ANNEALING 期刊论文 applied physics letters, 1993, 卷号: 62, 期号: 21, 页码: 2719-2721 JIN SX; WANG HP; YUAN MH; SONG HZ; WANG H; MAO WL; QIN GG; REN ZY; LI BC; HU XW; SUN GS 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2010/11/15 DIODES