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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2013 [3]
2012 [1]
学科主题
半导体材料 [4]
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学科主题:半导体材料
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Growth of 4H-SiC epilayers with low surface roughness and morphological defects density on 4 degrees off-axis substrates
期刊论文
applied surface science, 2013, 卷号: 270, 页码: 301-306
Dong, Lin
;
Sun, Guosheng
;
Yu, Jun
;
Zheng, Liu
;
Liu, Xingfang
;
Zhang, Feng
;
Yan, Guoguo
;
Li, Xiguang
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2013/09/17
Analysis and modeling of localized faceting on 4H-SiC epilayer surfaces
期刊论文
physica status solidi (a), 2013, 卷号: 210, 期号: 11, 页码: 2503–2509
Lin Dong, Guosheng Sun, Liu Zheng, Xingfang Liu, Feng Zhang, Guoguo Yan, Lixin Tian, Xiguang Li, Zhanguo Wang
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2014/03/17
Growth of f4H-SiC epilayers with low surface roughness and morphological defects density on 4° off-axis substrates
期刊论文
applied surface science, 2013, 卷号: 270, 页码: 301-306
Dong, Lin
;
Sun, Guosheng
;
Yu, Jun
;
Zheng, Liu
;
Liu, Xingfang
;
Zhang, Feng
;
Yan, Guoguo
;
Li, Xiguang
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2014/03/17
Infrared reflectance study of 3C-SiC epilayers grown on silicon substrates
期刊论文
journal of physics d: applied physics, 2012, 卷号: 45, 期号: 24, 页码: 245102
Dong, Lin
;
Sun, Guosheng
;
Zheng, Liu
;
Liu, Xingfang
;
Zhang, Feng
;
Yan, Guoguo
;
Zhao, Wanshun
;
Wang, Lei
;
Li, Xiguang
;
Wang, Zhanguo
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2013/04/22
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