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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 GaN压电效应对载流子浓度的影响 期刊论文 半导体学报, 1998, 卷号: 19, 期号: 7, 页码: 498 张剑平; 王晓亮; 孙殿照; 李晓兵; 傅荣辉; 孔梅影 收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2010/11/23 GaN材料的GSMBE生长 期刊论文 高技术通讯, 1997, 卷号: 7, 期号: 3, 页码: 1 王晓亮; 孙殿照; 李晓兵; 黄运衡; 朱世荣; 曾一平; 李晋闽; 孔梅影; 林兰英 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23 MOCVD和GSMBE生长Ga（0.5）In（0.5）P 外延层中有序结构的研究 期刊论文 半导体学报, 1996, 卷号: 17, 期号: 9, 页码: 641 董建荣; 李晓兵; 孙殿照; 陆大成; 李建平; 孔梅影; 王占国 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/23 InGaAs/InP超晶格材料的GSMBE生长研究 期刊论文 半导体学报, 1995, 卷号: 16, 期号: 10, 页码: 725 孙殿照; 王晓亮; 李晓兵; 国红熙; 阎春辉; 李建平; 朱世荣; 李灵霄; 曾一平; 孙梅影; 侯洵 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23