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半导体研究所 [13]
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期刊论文 [10]
会议论文 [3]
发表日期
2012 [1]
2008 [2]
2003 [3]
2002 [2]
2000 [3]
1999 [2]
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学科主题
半导体材料 [13]
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学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Calculation of discrepancies in measured valence band offsets of heterojunctions with different crystal polarities
期刊论文
journal of applied physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 11, 页码: 113712
Li HJ (Li, Huijie)
;
Liu XL (Liu, Xianglin)
;
Wang JX (Wang, Jianxia)
;
Jin DD (Jin, Dongdong)
;
Zhang H (Zhang, Heng)
;
Yang SY (Yang, Shaoyan)
;
Liu SM (Liu, Shuman)
;
Mao W (Mao, Wei)
;
Hao Y (Hao, Yue)
;
Zhu QS (Zhu, QinSheng)
;
Wang ZG (Wang, Zhanguo)
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2013/03/26
Al composition variations in AlGaN films grown on low-temperature GaN buffer layer by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2008, 卷号: 310, 期号: 24, 页码: 5266-5269
作者:
Yang H
;
Zhao DG
;
Zhu JJ
;
Yang H
;
Zhang SM
收藏
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浏览/下载:182/43
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提交时间:2010/03/08
Cathodoluminescence
MOCVD
AlGaN
Polymerization of ionic liquid-based microemulsions: A versatile method for the synthesis of polymer electrolytes
期刊论文
macromolecules, 2008, 卷号: 41, 期号: 10, 页码: 3389-3392
Yu, SM
;
Yan, F
;
Zhang, XW
;
You, JB
;
Wu, PY
;
Lu, JM
;
Xu, QF
;
Xia, XW
;
Ma, GL
收藏
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浏览/下载:65/1
  |  
提交时间:2010/03/08
ROTATIONAL RELAXATION
BEHAVIOR
MICELLES
STYRENE
PHASE
COUMARIN-153
SURFACTANTS
SOLVATION
CATALYSIS
DYNAMICS
Influence of growth pressure of a GaN buffer layer on the properties of MOCVD GaN
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2003, 卷号: 46, 期号: 6, 页码: 620-626
作者:
Zhang SM
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浏览/下载:252/65
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提交时间:2010/08/12
gallium nitride
MOCVD
in situ laser reflectometry
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
IN-SITU
SAPPHIRE SUBSTRATE
NUCLEATION LAYERS
FILMS
Effects of reactor pressure on GaN nucleation layers and subsequent GaN epilayers grown on sapphire substrate
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 254, 期号: 3-4, 页码: 348-352
作者:
Zhang SM
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浏览/下载:230/30
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提交时间:2010/08/12
in situ laser reflectometry
lateral overgrowth
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
HIGH-QUALITY GAN
BUFFER LAYER
THREADING DISLOCATIONS
TEMPERATURE
EVOLUTION
SURFACE
MOVPE
Influences of reactor pressure of GaN buffer layers on morphological evolution of GaN grown by MOCVD
期刊论文
journal of crystal growth, 2003, 卷号: 256, 期号: 3-4, 页码: 248-253
作者:
Zhang SM
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浏览/下载:292/3
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提交时间:2010/08/12
in situ laser reflectometry
lateral overgrowths
surface morphology
metalorganic chemical vapor deposition
GaN
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
LIGHT-EMITTING-DIODES
SAPPHIRE SUBSTRATE
NUCLEATION LAYERS
QUALITY
TEMPERATURE
Wafer bonding technique used for the integration of cubic GaN/GaAs (001) with Si substrate
期刊论文
science in china series e-technological sciences, 2002, 卷号: 45, 期号: 3, 页码: 255-260
作者:
Zhang SM
;
Zhao DG
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浏览/下载:84/5
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提交时间:2010/08/12
wafer bonding
cubic
GaN/GaAs(001)
Si-substrate
LIGHT-EMITTING-DIODES
P-TYPE GAN
RESISTANCE
CONTACT
LASER
Effect on the optical properties and surface morphology of cubic GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition using isoelectronic indium surfactant doping
期刊论文
journal of crystal growth, 2002, 卷号: 235, 期号: 1-4, 页码: 207-211
作者:
Zhang SM
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浏览/下载:92/4
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提交时间:2010/08/12
crystal morphology
doping
surface structure
metalorgamc chemical vapor deposition
nitrides
semiconducting III-V materials
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
PHASE EPITAXY
FILMS
CATHODOLUMINESCENCE
Investigation on the origin of wurtzite domains in thick cubic GaN using reactive ion etching
期刊论文
thin solid films, 2000, 卷号: 372, 期号: 1-2, 页码: 25-29
作者:
Zhao DG
;
Zhang SM
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浏览/下载:44/0
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提交时间:2010/08/12
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
LIGHT-EMITTING-DIODES
YELLOW LUMINESCENCE
GROWTH
HETEROSTRUCTURE
NITRIDE
Characterization of CdSe and CdSe/CdS core/shell nanoclusters synthesized in aqueous solution
会议论文
50th iumrs international conference on advanced materials, beijing, peoples r china, jun 13-18, 1999
作者:
Liu SM
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2010/11/15
CdSe
CdSe/CdS
nanoclusters
QUANTUM DOTS
SEMICONDUCTOR NANOCRYSTALLITES
SIZE
EXCITON
CLUSTERS
DARK
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