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半导体研究所 [11]
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期刊论文 [11]
发表日期
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2014 [2]
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2011 [1]
2009 [1]
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学科主题
半导体材料 [11]
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学科主题:半导体材料
专题:半导体研究所
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Enhanced rectification, transport property and photocurrent generation of multilayer ReSe2/MoS2p–n heterojunctions
期刊论文
Nano Research, 2016, 卷号: 9, 期号: 2, 页码: 507-516
Xiaoting Wang
;
Le Huang
;
Yuting Peng
;
Nengjie Huo
;
Kedi Wu
;
Congxin Xia
;
Zhongming Wei
;
Sefaattin Tongay
;
Jingbo Li
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2017/03/10
Fabrication and characterization of deep ridge InGaAsP/InP light emitting transistors
期刊论文
optics express, 2014, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 1806-1814
Huo, WJ
;
Liang, S
;
Zhang, C
;
Tan, SY
;
Han, LS
;
Xie, HY
;
Zhu, HL
;
Wang, W
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  |  
浏览/下载:16/0
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提交时间:2015/05/11
Fabrication and characterization of deep ridge InGaAsP/InP light emitting transistors
期刊论文
optics express, 2014, 卷号: 22, 期号: 2, 页码: 1806-1814
Huo, WJ
;
Liang, S
;
Zhang, C
;
Tan, SY
;
Han, LS
;
Xie, HY
;
Zhu, HL
;
Wang, W
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/04/02
Large scale purification of metallurgical silicon for solar cell by using electron beam melting
期刊论文
journal of crystal growth, 2012, 卷号: 351, 期号: 1, 页码: 19-22
Liu, T
;
Dong, ZY
;
Zhao, YW
;
Wang, J
;
Chen, T
;
Xie, H
;
Li, J
;
Ni, HJ
;
Huo, DX
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  |  
浏览/下载:5/0
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提交时间:2013/03/17
Hydride vapor phase epitaxy of strain-reduced GaN film on nano-island template produced using self-assembled CsCl nanospheres
期刊论文
materials letters, 2012, 卷号: 68, 页码: 327-330
Wei, TB
;
Chen, Y
;
Hu, Q
;
Yang, JK
;
Huo, ZQ
;
Duan, RF
;
Wang, JX
;
Zeng, YP
;
Li, JM
;
Liao, YX
;
Yin, FT
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浏览/下载:20/0
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提交时间:2013/03/17
Purification of metallurgical silicon through directional solidification in a large cold crucible
期刊论文
journal of crystal growth, 2012, 卷号: 355, 期号: 1, 页码: 145-150
Liu T (Liu, Tong)
;
Dong ZY (Dong, Zhiyuan)
;
Zhao YW (Zhao, Youwen)
;
Wang J (Wang, Jun)
;
Chen T (Chen, Teng)
;
Xie H (Xie, Hui)
;
Li J (Li, Jian)
;
Ni HJ (Ni, Haijiang)
;
Huo DX (Huo, Dianxin)
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/03/27
Defect-related emission characteristics of nonpolar m-plane GaN revealed by selective etching
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 314, 期号: 1, 页码: 141-145
作者:
Duan RF
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浏览/下载:84/4
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提交时间:2011/07/05
CL
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Nonpolar
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
ACCEPTOR PAIR EMISSION
PHASE EPITAXY
GROWN GAN
SEMICONDUCTORS
SAPPHIRE
FILMS
NITRIDE
Growth of (10(1)over-bar(3)over-bar) semipolar GaN on m-plane sapphire by hydride vapor phase epitaxy
期刊论文
journal of crystal growth, 2009, 卷号: 311, 期号: 17, 页码: 4153-4157
作者:
Wei TB
;
Wei XC
;
Duan RF
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浏览/下载:84/6
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提交时间:2010/03/08
HRXRD
PL
Stacking fault
HVPE
GaN
Semipolar
Hillocks and hexagonal pits in a thick film grown by HVPE
期刊论文
microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 12, 页码: 1556-1559
作者:
Duan RF
;
Wei TB
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浏览/下载:298/42
  |  
提交时间:2010/03/08
GaN
HVPE
Hillocks
Pits
Cathodoluminescence
Spatial variation of optical and structural properties of ELO GaN directly grown on patterned sapphire by HVPE
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2007, 卷号: 40, 期号: 9, 页码: 2881-2885
作者:
Wei TB
;
Duan RF
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2010/03/29
VAPOR-PHASE EPITAXY
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