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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 学科主题：半导体器件     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 利用双成核层生长高质量氮化镓外延结构的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2014/10/31 在图形衬底上生长氮化镓外延结构的方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/10/31 氮化物LED外延结构的生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11 梁萌; 李鸿渐; 姚然; 李志聪; 李盼盼; 王兵; 李璟; 伊晓燕; 王军喜; 王国宏; 李晋闽 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2014/10/31