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科研机构
半导体研究所 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2012 [1]
2008 [1]
2000 [1]
1991 [1]
学科主题
半导体器件 [4]
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学科主题:半导体器件
专题:半导体研究所
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Improvement of characteristics of InGaN-based laser diodes with undoped InGaN upper waveguide layer
期刊论文
journal of applied physics, 2012, 卷号: 112, 期号: 11, 页码: 113105
Chen P (Chen, P.)
;
Feng MX (Feng, M. X.)
;
Jiang DS (Jiang, D. S.)
;
Zhao DG (Zhao, D. G.)
;
Liu ZS (Liu, Z. S.)
;
Li L (Li, L.)
;
Wu LL (Wu, L. L.)
;
Le LC (Le, L. C.)
;
Zhu JJ (Zhu, J. J.)
;
Wang H (Wang, H.)
;
Zhang SM (Zhang, S. M.)
;
Yang H (Yang, H.)
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2013/03/26
A GaN photodetector integrated structure for wavelength characterization of ultraviolet light
期刊论文
semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: art. no. 095021
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Zhang, SM
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:118/0
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提交时间:2010/03/08
Photonic switch and NOT logic gate based on the hybrid integration of a GaAsVCSEL and a GaAs MISS
期刊论文
chinese journal of electronics, 2000, 卷号: 9, 期号: 1, 页码: 21-24
Kang XJ
;
Lin SM
;
Liao QW
;
Cheng P
;
Gao JH
;
Liu SA
;
Wang HJ
;
Zhang CH
;
Wang QM
;
Du GT
;
Liu Y
;
Li XM
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浏览/下载:43/0
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提交时间:2010/08/12
semiconductor lasers
photonics
epitaxial growth
optical switch
VERTICAL-CAVITY LASERS
OXIDATION
OPTICAL BISTABILITY IN A GAAS/GAALAS MULTI-QUANTUM-WELL (MQW) SELF-ELECTROOPTIC EFFECT DEVICE (SEED)
期刊论文
chinese physics, 1991, 卷号: 11, 期号: 4, 页码: 965-969
WU TH
;
DUAN HL
;
WANG QM
;
KONG MY
;
PAN Z
;
ZHANG QS
;
LIN SM
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提交时间:2010/11/15
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