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半导体研究所 [10]
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学科主题
光电子学 [10]
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学科主题:光电子学
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Contribution of GaN template to the unexpected Ga atoms incorporated into AlInN epilayers grown under an indium-very-rich condition by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD)
期刊论文
journal of crystal growth, 2012, 卷号: 348, 期号: 1, 页码: 25-30
Zhu, JJ
;
Fan, YM
;
Zhang, H
;
Lu, GJ
;
Wang, H
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
;
Zhang, SM
;
Chen, GF
;
Zhang, BS
;
Yang, H
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2013/02/27
Interfacial misfit dislocation scattering effect in two-dimensional electron gas channel of GaN heterojunction
期刊论文
physics letters a, 2012, 卷号: 376, 期号: 2012-10-11, 页码: 1067-1071
Liu, B
;
Lu, YW
;
Huang, Y
;
Liu, GP
;
Zhu, QS
;
Wang, ZG
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2013/03/17
Dislocation Behavior in AlGaN/GaN Multiple Quantum-Well Films Grown with Different Interlayers
期刊论文
chinese physics letters, 2012, 卷号: 29, 期号: 9, 页码: 096101
Sun HH (Sun He-Hui)
;
Guo FY (Guo Feng-Yun)
;
Li DY (Li Deng-Yue)
;
Wang L (Wang Lu)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Zhao LC (Zhao Lian-Cheng)
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2013/04/02
Structural and optical properties of Al1-xInxN epilayers on GaN template grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 2, 页码: art. no. 026804
Lu GJ (Lu Guo-Jun)
;
Zhu JJ (Zhu Jian-Jun)
;
Jiang DS (Jiang De-Sheng)
;
Wang YT (Wang Yu-Tian)
;
Zhao DG (Zhao De-Gang)
;
Liu ZS (Liu Zong-Shun)
;
Zhang SM (Zhang Shu-Ming)
;
Yang H (Yang Hui)
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浏览/下载:110/2
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提交时间:2010/04/22
metalorganic chemical vapor deposition
Al1-xInxN
gradual variation in composition
optical reflectance spectra
X-RAY-DIFFRACTION
PHASE EPITAXY
RELAXATION
FILMS
HETEROSTRUCTURES
SEPARATION
DYNAMICS
ALLOYS
REGION
LAYERS
A wide-narrow well design for understanding the efficiency droop in InGaN/GaN light-emitting diodes
期刊论文
applied physics b-lasers and optics, 2009, 卷号: 97, 期号: 2, 页码: 465-468
Ding K (Ding, K.)
;
Zeng YP (Zeng, Y. P.)
;
Wei XC (Wei, X. C.)
;
Li ZC (Li, Z. C.)
;
Wang JX (Wang, J. X.)
;
Lu HX (Lu, H. X.)
;
Cong PP (Cong, P. P.)
;
Yi XY (Yi, X. Y.)
;
Wang GH (Wang, G. H.)
;
Li JM (Li, J. M.)
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浏览/下载:164/45
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提交时间:2010/03/08
Effect of annealing on photoluminescence properties of neon implanted GaN
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 2, 页码: art. no. 025107
作者:
Yang H
;
Lu GJ
;
Zhang SM
;
Zhao DG
;
Yang H
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浏览/下载:66/1
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提交时间:2010/03/08
LUMINESCENCE
Novel photonic crystal structure GaN-based light-emitting diodes - art. no. 68410J
会议论文
conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Hu HY
;
Lu L
;
Du W
;
Liu HW
;
Kan Q
;
Wang CX
;
Xu XS
;
Chen HD
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浏览/下载:35/0
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提交时间:2010/03/09
GaN
Near-field scanning optical microscopy with an active probe
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 12, 页码: art.no.121111
Gan QQ
;
Song GF
;
Yang GH
;
Xu Y
;
Gao JX
;
Li YZ
;
Cao Q
;
Chen LH
;
Lu HW
;
Chen ZH
;
Zeng W
;
Yan RJ
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浏览/下载:60/0
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提交时间:2010/04/11
SMALL-APERTURE LASERS
DATA-STORAGE
HIGH-DENSITY
LIGHT
NANOAPERTURE
POWER
Electrical characterization of Er- and Pr-implanted GaN films
期刊论文
applied physics letters, 2005, 卷号: 86, 期号: 15, 页码: art.no.152111
Song SF
;
Chen WD
;
Zhang CG
;
Bian LF
;
Hsu CC
;
Lu LW
;
Zhang YH
;
Zhu JJ
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浏览/下载:91/46
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提交时间:2010/03/17
DEFECTS
The mechanism of blueshift in excitation-intensity-dependent photo luminescence spectrum of nitride multiple quantum wells
期刊论文
journal of luminescence, 2002, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 35-38
作者:
Han PD
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浏览/下载:27/0
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提交时间:2010/08/12
photoluminescence
excitation transfer mechanism
GAN
InGaN
MOCVD
INGAN SINGLE
EMISSION
POLARIZATION
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