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一种高电流密度、高散热系数的半导体激光器制备方法 专利
专利号: CN109326952A, 申请日期: 2019-02-12, 公开日期: 2019-02-12
作者:  陈康;  苏建;  任夫洋;  刘青;  王金翠
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