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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：湖南大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Towards cross-modal organ translation and segmentation: A cycle- and shape-consistent generative adversarial network 期刊论文 Medical Image Analysis, 2019, 卷号: Vol.52, 页码: 174-184 作者:  Jinzheng Cai;  Zizhao Zhang;  Lei Cui;  Yefeng Zheng;  Lin Yang 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/13 Medical  image  synthesis  Generative  adversarial  network  (GAN)  Computed  tomography  (CT)  Magnetic  resonance  imaging  (MRI)  Mammography  X-ray  Organ  segmentation   Effects of Annealing on Enhancement-Mode AlGaN/GaN/AlGaN Double Heterostructures HEMTs with Different GaN Channel Layer Thickness 期刊论文 JOURNAL OF NANOELECTRONICS AND OPTOELECTRONICS, 2019, 卷号: Vol.14 No.2, 页码: 184-188 作者:  Wang, Xin;  He, Yun-Long;  He, Qing;  Wang, Chong;  Lei, Wei-Ning 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2019/12/17 Annealing  Enhancement-Mode  AlGaN/GaN/AlGaN  HEMT  Fluorine Plasma   1.8-kV circular AlGaN/GaN/AlGaN double-heterostructure high electron mobility transistor 期刊论文 Chinese Physics B, 2019, 卷号: Vol.28 No.2, 页码: 027301 作者:  Sheng-Lei Zhao;  Zhi-Zhe Wang;  Da-Zheng Chen;  Mao-Jun Wang;  Yang Dai 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/17 Reduced reverse gate leakage current for GaN HEMTs with 3 nm Al/40 nm SiN passivation layer. 期刊论文 Applied Physics Letters, 2019, 卷号: Vol.114 No.1 作者:  Zhang, Sheng;  Wei, Ke;  Ma, Xiao-Hua;  Hou, Bin;  Liu, Guo-Guo 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/17 CHEMICAL  vapor  deposition  *STRAY  currents  *GALLIUM  nitride  *HIGH  electron  mobility  transistor  circuits  *PASSIVATION  *INTEGRATED  circuit  passivation   Reduced reverse gate leakage current for GaN HEMTs with 3 nm Al/40 nm SiN passivation layer 期刊论文 Applied Physics Letters, 2019, 卷号: Vol.114 No.1, 页码: 013503 作者:  Sheng Zhang;  Ke Wei;  Xiao-Hua Ma;  Bin Hou;  Guo-Guo Liu 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/13