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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：武汉大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Defect Self-Compensation for High-Mobility Bilayer InGaZnO/In2O3 Thin-Film Transistor 期刊论文 ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, 2019, 卷号: 5, 期号: 6 作者:  He, Jiawei;  Li, Guoli;  Lv, Yawei;  Wang, Chunlan;  Liu, Chuansheng 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/12/05 amorphous oxide semiconductor  bilayer stack  defect self-compensation  high mobility  thin-film transistor   Exploring and suppressing the kink effect of black phosphorus field-effect transistors operating in the saturation regime 期刊论文 NANOSCALE, 2019, 卷号: 11, 期号: 21 作者:  Xia, Ying;  Li, Guoli;  Jiang, Bei;  Yang, Zhenyu;  Liu, Xingqiang 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/05 Exploring and suppressing the kink effect of black phosphorus field-effect transistors operating in the saturation regime 期刊论文 Nanoscale, 2019, 卷号: 11, 期号: 21 作者:  Xia, Ying;  Li, Guoli;  Jiang, Bei;  Yang, Zhenyu;  Liu, Xingqiang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/05 Defect Self-Compensation for High-Mobility Bilayer InGaZnO/In2O3 Thin-Film Transistor 期刊论文 Advanced Electronic Materials, 2019, 卷号: 5, 期号: 6 作者:  He, Jiawei;  Li, Guoli;  Lv, Yawei;  Wang, Chunlan;  Liu, Chuansheng 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/12/05