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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2019    专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Study on Filling Material Ratio and Filling Effect: Taking Coarse Fly Ash and Coal Gangue as the Main Filling Component 期刊论文 ADVANCES IN CIVIL ENGINEERING, 2019 作者:  Wang, Changxiang;  Liu, Yin;  Hu, Hao;  Li, Yangyang;  Lu, Yao 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/11 Preparation and mechanical properties of Si3N4 nanocomposites reinforced by Si3N4@rGO particles 期刊论文 JOURNAL OF THE AMERICAN CERAMIC SOCIETY, 2019, 卷号: 102, 期号: 11, 页码: 6991-7002 作者:  Hu, Yangyang;  Chen, Zhaoqiang;  Zhang, Jingjie;  Xiao, Guangchun;  Yi, Mingdong 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/12/11 electrostatic interaction  graphene oxide  mechanical properties  nanocomposite  silicon nitride   Mapping annual land use changes in China's poverty-stricken areas from 2013 to 2018 期刊论文 REMOTE SENSING OF ENVIRONMENT, 2019, 卷号: 232 作者:  Ge, Yong;  Hu, Shan;  Ren, Zhoupeng;  Jia, Yuanxin;  Wang, Jianghao 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2019/12/11 Google earth engine  Poverty-stricken areas  Annual land use changes   High-Voltage β-Ga2O3 Schottky Diode with Argon-Implanted Edge Termination 期刊论文 Nanoscale Research Letters, 2019, 卷号: 14 作者:  Gao, Yangyang;  Li, Ang;  Feng, Qian;  Hu, Zhuangzhuang;  Feng, Zhaoqing 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/12/11 High-Voltage -Ga2O3 Schottky Diode with Argon-Implanted Edge Termination 期刊论文 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2019, 卷号: 14 作者:  Gao, Yangyang;  Li, Ang;  Feng, Qian;  Hu, Zhuangzhuang;  Feng, Zhaoqing 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/12/11 -Ga2O3 Schottky diode  Argon implantation  Edge termination