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| Investigation of surface traps-induced current collapse phenomenon in AlGaN/ GaN high electron mobility transistors with schottky gate structures 期刊论文
Journal of Physics D: Applied Physics, 2018, 卷号: 51, 期号: 34, 页码: 345102
作者: Huang Huolin; Sun Zhonghao; Cao Yaqing; Li Feiyu; Zhang Feng; Wen Zhengxin; Zhang Zifeng; Liang Yung C.; Hu Lizhong
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| 二维电子气沟道半耗尽型霍尔传感器及其制作方法 专利
申请日期: 2018-01-01, 公开日期: 2018-10-12
作者: 黄火林; 曹亚庆; 李飞雨; 孙仲豪
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| Model Development for Threshold Voltage Stability Dependent on High Temperature Operations in Wide-Bandgap GaN-Based HEMT Power Devices 期刊论文
MICROMACHINES, 2018, 卷号: 9
作者: Huang, Huolin; Li, Feiyu; Sun, Zhonghao; Cao, Yaqing
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| 具有二维电子气沟道势垒层局部凹槽结构的霍尔传感器及其制作方法 专利
申请日期: 2018-01-01, 公开日期: 2018-07-24
作者: 黄火林; 曹亚庆; 李飞雨; 孙仲豪
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| 半纵向型欧姆接触电极及其制作方法 专利
申请日期: 2018-01-01, 公开日期: 2018-10-19
作者: 黄火林; 孙仲豪
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| Investigation of surface traps-induced current collapse phenomenon in AlGaN/GaN high electron mobility transistors with schottky gate structures 期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2018, 卷号: 51
作者: Huang, Huolin; Sun, Zhonghao; Cao, Yaqing; Li, Feiyu; Zhang, Feng
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| Obtaining Exact Electrical Parameters in Semiconductor Ohmic Contacts Using a Novel Electrode Pair Layout Design 会议论文
2018 1ST WORKSHOP ON WIDE BANDGAP POWER DEVICES AND APPLICATIONS IN ASIA (WIPDA ASIA), 2018-01-01
作者: Huang, Huolin; Sun, Zhonghao; Cao, Yaqing; Li, Feiyu; Hu, Lizhong
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| 具有极化结纵向泄漏电流阻挡层结构的HEMT器件及其制备方法 专利
申请日期: 2018-01-01, 公开日期: 2018-12-14
作者: 孙仲豪; 黄火林
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| 一种具有P型埋层结构的增强型HEMT器件及其制备方法 专利
申请日期: 2018-01-01, 公开日期: 2018-12-18
作者: 黄火林; 李飞雨; 陶鹏程; 孙仲豪; 曹亚庆
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| 一种具有局部电流阻挡层的纵向栅极结构功率器件及其制备方法 专利
申请日期: 2018-01-01, 公开日期: 2018-12-18
作者: 黄火林; 孙仲豪; 李飞雨; 曹亚庆; 陶鹏程
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