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一种预制的模拟三维中空裂隙的结构 专利
申请日期: 2018-08-03, 公开日期: 2018-08-03
作者:  虞松;  李邦翔;  谢雅娟;  朱维申;  付金伟
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2020/01/04
Neutron field measurement at the Experimental Advanced Superconducting Tokamak using a Bonner sphere spectrometer 期刊论文
NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION A-ACCELERATORS SPECTROMETERS DETECTORS AND ASSOCIATED EQUIPMENT, 2018, 卷号: 895, 期号: 无, 页码: 100-106
作者:  Hu, Zhimeng;  Zhong, Guoqiang;  Ge, Lijian;  Du, Tengfei;  Peng, Xingyu
收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2019/08/23
Oxidation state inherited from the magma source and implications for mineralization: Late Jurassic to Early Cretaceous granitoids, Central Lhasa subterrane, Tibet 期刊论文
MINERALIUM DEPOSITA, 2018, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 299-309
作者:  Evans, NJ (Evans, Noreen J.);  Cao, MJ (Cao, MingJian);  Qin, KZ (Qin, KeZhang);  Li, GM (Li, GuangMing);  McInnes, BIA (McInnes, Brent I. A.)
收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2019/06/13
Oxidation state inherited from the magma source and implications for mineralization: Late Jurassic to Early Cretaceous granitoids, Central Lhasa subterrane, Tibet 期刊论文
MINERALIUM DEPOSITA, 2018, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 299-309
作者:  Cao, MingJian;  Qin, KeZhang;  Li, GuangMing;  Evans, Noreen J.;  McInnes, Brent I. A.
收藏  |  浏览/下载：32/0  |  提交时间：2018/09/26
Oxidation state inherited from the magma source and implications for mineralization: Late Jurassic to Early Cretaceous granitoids, Central Lhasa subterrane, Tibet 期刊论文
MINERALIUM DEPOSITA, 2018, 卷号: 53, 期号: 3, 页码: 299-309
作者:  Cao, MingJian;  Qin, KeZhang;  Li, GuangMing;  Evans, Noreen J.;  McInnes, Brent I. A.
收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2018/09/26
一种带浮空区的低导通电阻碳化硅IGBT器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-23,
作者:  张安平;  田凯;  祁金伟;  杨明超;  陈家玉
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/26
一种低导通电阻、小栅电荷的双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-23,
作者:  张安平;  田凯;  祁金伟;  杨明超;  陈家玉
收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/11/26
一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅超结MOSFET器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-23,
作者:  张安平;  田凯;  祁金伟;  杨明超;  陈家玉
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/11/26
一种带浮空区的低导通电阻碳化硅超结MOSFET器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-23,
作者:  张安平;  田凯;  祁金伟;  杨明超;  陈家玉
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2019/11/26
一种带浮空区的低导通电阻双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法 专利
申请日期: 2018-02-23,
作者:  张安平;  田凯;  祁金伟;  杨明超;  陈家玉
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/11/26

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