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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2018    专题：武汉大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Design of Highly Stable Tungsten-Doped IZO Thin-Film Transistors with Enhanced Performance 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2018, 卷号: 65, 期号: 3 作者:  Wan, Da;  Liu, Xingqiang;  Abliz, Ablat;  Liu, Chuansheng;  Yang, Yanbing 收藏  |  浏览/下载：11/0  |  提交时间：2019/12/05 Design of Highly Stable Tungsten-Doped IZO Thin-Film Transistors With Enhanced Performance 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 期号: 3 作者:  Wan, Da;  Liu, Xingqiang;  Abliz, Ablat;  Liu, Chuansheng;  Yang, Yanbing 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/05 Indium zinc oxide (IZO)  pulsed current-voltage (I-V)  solution processed  thin-film transistors (TFTs)  tungsten (W)-doping   Enhanced Reliability of In-Ga-ZnO Thin-Film Transistors Through Design of Dual Passivation Layers 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2018, 卷号: 65, 期号: 7 作者:  Abliz, Ablat;  Wan, Da;  Chen, Jui-Yuan;  Xu, Lei;  He, Jiawei 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/05 Amorphous indium-gallium-zinc oxide (a-In-Ga-ZnO)  light illumination stress stability  passivation layers (PVLs)  thin film transistors (TFTs)