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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2018    专题：山东大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Chalcogen passivation: an in-situ method to manipulate the morphology and electrical property of GaAs nanowires 期刊论文 SCIENTIFIC REPORTS, 2018, 卷号: 8 作者:  Yang, Zai-xing;  Yin, Yanxue;  Sun, Jiamin;  Bian, Luozhen;  Han, Ning 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/12/11 GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors using thermally evaporated SiO as the gate dielectric 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 33, 期号: 9 作者:  Zhu, Gengchang;  Wang, Yiming;  Xin, Qian;  Xu, Mingsheng;  Chen, Xiufang 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/11 GaN  MOS-HEMTs  thermal evaporation  SiO