QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Annealing effect of the InAs dot-in-well structure grown by MBE 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2017, 卷号: 480, 页码: 115-118 作者:  Zhao, Xuyi[1];  Wang, Peng[2];  Cao, Chunfang[3];  Yan, Jinyi[4];  Zha, Fangxing[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/24 Photoluminescence  Quantum dots  Molecular beam epitaxy  Semiconducting III-V materials  Heterojunction semiconductor devices