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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Strain and microstructures of GaN epilayers with thick InGaN interlayer grown by MOCVD 期刊论文 MATERIALS SCIENCE IN SEMICONDUCTOR PROCESSING, 2017, 卷号: 60, 页码: 66-70 作者:  Liu, Jianxun;  Liang, Hongwei;  Liu, Yang;  Xia, Xiaochuan;  Huang, Huolin 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/12/02 GaN  InGaN interlayer  Strain  Microstructure   一种欧姆接触电极有效宽度的计算和判定方法 专利 申请日期: 2017-01-01, 公开日期: 2018-06-22 作者:  黄火林;  孙仲豪;  李飞雨;  曹亚庆;  胡礼中 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/02 适用于高温工作环境的半导体三维霍尔传感器及其制作方法 专利 申请日期: 2017-01-01, 公开日期: 2018-04-27 作者:  黄火林;  曹亚庆;  孙仲豪;  李飞雨 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/02 一种半导体电极欧姆接触电阻参数提取方法 专利 申请日期: 2017-01-01, 公开日期: 2018-06-15 作者:  黄火林;  孙仲豪;  曹亚庆;  李飞雨;  胡礼中 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/02 Degradation Mechanism of Crystalline Quality and Luminescence in In0.42Ga0.58N/GaN Double Heterostructures with Porous InGaN Layer 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY C, 2017, 卷号: 121, 页码: 18095-18101 作者:  Liu, Jianxun;  Liang, Hongwei;  Zheng, Xiantong;  Liu, Yang;  Xia, Xiaochuan 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/09 一种支持可定制化数据采集的元模型框架系统 专利 申请日期: 2017-01-01, 公开日期: 2017-10-24 作者:  谭火彬;  林广艳;  朱明远;  满坦坦;  黄星 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/30