|
已选(0)清除
条数/页： 排序方式：
|
| 一种掺锗碳化硅欧姆接触形成方法 专利
申请日期: 2017-09-01, 公开日期: 2017-09-01
作者: 陈秀芳; 李天; 徐现刚; 胡小波; 蒋哲
  收藏 | 浏览/下载：0/0 | 提交时间：2020/01/04 |
| 一种减少碳化硅单晶中包裹体的新型坩埚及利用坩埚生长单晶的方法 专利
申请日期: 2017-08-18, 公开日期: 2017-08-18
作者: 胡小波; 徐现刚; 杨祥龙; 彭燕; 陈秀芳
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2020/01/04 |
| 一种高功率半导体激光器 专利
专利号: CN206379617U, 申请日期: 2017-08-04, 公开日期: 2017-08-04
作者: 李沛旭; 孙素娟; 开北超; 夏伟; 徐现刚
收藏 | 浏览/下载：4/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 具有低工作电压及高功率转换效率的半导体激光器 专利
专利号: CN104242057B, 申请日期: 2017-08-04, 公开日期: 2017-08-04
作者: 朱振; 张新; 李沛旭; 蒋锴; 徐现刚
收藏 | 浏览/下载：7/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 一种半导体激光器用于照明的光斑匀化装置及光斑匀化方法 专利
专利号: CN104423047B, 申请日期: 2017-08-01, 公开日期: 2017-08-01
作者: 于果蕾; 刘成成; 肖成峰; 李沛旭; 苏建
收藏 | 浏览/下载：12/0 | 提交时间：2019/12/24 |
| 一种基于纳米划痕技术提高LED光提取效率的方法及应用 专利
申请日期: 2017-08-01, 公开日期: 2017-08-01
作者: 刘铎; 赵东方; 徐现刚
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2020/01/04 |
| 一种偏向SiC晶体的大边、小边精确定向方法 专利
申请日期: 2017-07-28, 公开日期: 2017-07-28
作者: 陈秀芳; 谢雪健; 胡小波; 徐现刚; 张磊
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2020/01/04 |
| 一种锗氮共掺的碳化硅单晶材料的生长方法 专利
申请日期: 2017-07-21, 公开日期: 2017-07-21
作者: 陈秀芳; 李天; 徐现刚; 胡小波
收藏 | 浏览/下载：5/0 | 提交时间：2020/01/04 |
| 用于生长高纯半绝缘碳化硅晶体的坩埚 专利
申请日期: 2017-07-21, 公开日期: 2017-07-21
作者: 杨祥龙; 徐现刚; 胡小波; 陈秀芳; 彭燕
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2020/01/04 |
| 一种能实现温度场实时调整的SiC单晶生长装置及利用该装置生长SiC单晶的方法 专利
申请日期: 2017-06-30, 公开日期: 2017-06-30
作者: 胡小波; 杨祥龙; 彭燕; 陈秀芳; 徐现刚
收藏 | 浏览/下载：1/0 | 提交时间：2020/01/04 |
