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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2017    专题：西安交通大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Switching transient analysis for normally-Off GaN transistors with p-GaN gate in a phase-Leg circuit 会议论文 作者:  Xie, Ruiliang;  Xu, Guangzhao;  Yang, Xu;  Wang, Hanxing;  Tian, Mofan 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2019/11/26 Analysis approach  Dynamic behaviors  Gallium Nitride (GaN)  Gan transistors  Intrinsic capacitance  Static measurements  Switching transient  Threshold-voltage instabilities   Switching Transient Analysis for Normally-Off GaN Transistors with p-GaN Gate in a Phase-Leg Circuit 会议论文 作者:  Xie, Ruiliang;  Xu, Guangzhao;  Yang, Xu;  Wang, Hanxing;  Tian, Mofan 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/11/26 switching transient analysis  p-GaN gate  phase-leg circuit  normally-off GaN transistor