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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 发表日期：2016     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Sunlight-induced resistance changes and their effects on the semiconductor-metal transition behavior of VO2 film 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2016, 卷号: 51, 期号: 17, 页码: 8233-8239 作者:  Wang, Minhuan;  Bian, Jiming;  Sun, Hongjun;  Liu, Hongzhu;  Li, Xiaoxuan 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/02/27 基于纵向短栅极沟道结构的低导通电阻常关型GaN基HEMT器件制备研究 项目 2016- 作者:  黄火林 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/09 多重2DEG沟道和凹槽栅组合GaN MOS-HEMT器件的研制 项目 2016- 作者:  黄火林 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/09 Unintentionally doped high resistivity GaN layers with an InGaN interlayer grown by MOCVD 期刊论文 RSC ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 页码: 60068-60073 作者:  Liu, Jianxun;  Liang, Hongwei;  Li, Binghui;  Liu, Yang;  Xia, Xiaochuan 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/09 具有纵向栅极结构的常关型HEMT器件 专利 申请日期: 2016-01-01, 公开日期: 2016-08-24 作者:  黄火林;  孙仲豪;  梁红伟;  夏晓川;  杜国同 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/09 具有纵向栅极结构的常关型HEMT器件及其制备方法 专利 申请日期: 2016-01-01, 公开日期: 2016-05-11 作者:  黄火林;  孙仲豪;  梁红伟;  夏晓川;  杜国同 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/09 Sunlight-induced resistance changes and their effects on the semiconductor-metal transition behavior of VO2 film 期刊论文 JOURNAL OF MATERIALS SCIENCE, 2016, 卷号: 51, 页码: 8233-8239 作者:  Wang, Minhuan;  Bian, Jiming;  Sun, Hongjun;  Liu, Hongzhu;  Li, Xiaoxuan 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/09 具有纵向栅极结构的常关型HEMT 器件 专利 申请日期: 2016-01-01, 公开日期: 2016-08-24 作者:  黄火林;  孙仲豪;  梁红伟;  夏晓川;  杜国同 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2019/12/09 Performance-Improved Normally-off A1GaN/GaN High-Electron Mobility Transistors with a Designed p-GaN Area under the Recessed Gate 会议论文 2016 13TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT), 2016-01-01 作者:  Huang, Huolin;  Sun, Zhonghao;  Zhang, Zifeng;  Shen, Rensheng;  Liang, Y. C. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/09 Improved On-Resistance and Breakdown Voltage Vertical GaN-based Field Effect Transistors 会议论文 2016 13TH IEEE INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY (ICSICT), 2016-01-01 作者:  Sun, Zhonghao;  Huang, Huolin;  Shen, Rensheng;  Zhang, Zifeng;  Liang, Y. C. 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/09