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一种制作晶体管和半导体器件的方法 专利
专利号: CN201110083546.4, 申请日期: 2016-03-02, 公开日期: 2012-10-17
作者:  尹海洲;  骆志炯;  朱慧珑
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半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110265073.X, 申请日期: 2016-02-24, 公开日期: 2013-03-27
作者:  朱慧珑;  尹海洲;  骆志炯
收藏  |  浏览/下载:7/0  |  提交时间:2016/03/09
一种半导体结构及其制造方法 专利
专利号: CN201110166549.4, 申请日期: 2016-02-17, 公开日期: 2012-12-26
作者:  朱慧珑;  尹海洲;  骆志炯
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受控横向刻蚀方法 专利
专利号: CN201110281364.8, 申请日期: 2016-01-27, 公开日期: 2013-04-03
作者:  骆志炯;  朱慧珑;  尹海洲
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