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合肥物质科学研究院 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2016 [2]
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发表日期:2016
专题:合肥物质科学研究院
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Modification of electrical properties and carrier transportation mechanism of ALD-derived HfO2/Si gate stacks by Al2O3 incorporation
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 667, 期号: 无, 页码: 352-358
作者:
Gao, Juan
;
He, Gang
;
Sun, Zhaoqi
;
Chen, Hanshuang
;
Zheng, Changyong
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提交时间:2017/10/18
High-k Gate Dielectric
Atomic-layer-deposition
Electrical Properties
Carrier Transportation Mechanism
Incorporation
Microstructure, optical and electrical properties of solution-derived peroxo-zirconium oxide gate dielectrics for CMOS application
期刊论文
CERAMICS INTERNATIONAL, 2016, 卷号: 42, 期号: 1, 页码: 759-766
作者:
Dongqi Xiao
;
Gang He
;
Zhaoqi Sun
;
Jianguo Lv
;
Peng Jin
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提交时间:2017/10/18
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