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苏州纳米技术与纳米... [10]
内容类型
期刊论文 [10]
发表日期
2016 [10]
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发表日期:2016
专题:苏州纳米技术与纳米仿生研究所
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Comparative study of the differential resistance of GaAs- and GaN-based laser diodes
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 4
作者:
Li, X
;
Liu, ZS
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
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浏览/下载:21/0
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提交时间:2017/03/11
Investigation on the performance and efficiency droop behaviors of InGaN/GaN multiple quantum well green LEDs with various GaN cap layer thicknesses
期刊论文
VACUUM, 2016, 卷号: 129
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Zhu, JJ
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2017/03/11
GaN high electron mobility transistors with AlInN back barriers
期刊论文
JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2016, 卷号: 662
作者:
He, XG
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Chen, P
收藏
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2017/03/11
Observation of negative differential resistance in GaN-based multiple-quantum-well light-emitting diodes
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 1
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Zhu, JJ
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2017/03/11
Different variation behaviors of resistivity for high-temperature-grown and low-temperature-grown p-GaN films
期刊论文
CHINESE PHYSICS B, 2016, 卷号: 25, 期号: 2
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Liu, ZS
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2017/03/11
Photovoltaic Response of InGaN/GaN Multi-quantum Well Solar Cells Enhanced by Reducing p-type GaN Resistivity
期刊论文
IEEE JOURNAL OF PHOTOVOLTAICS, 2016, 卷号: 6, 期号: 2
作者:
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Chen, P
;
Zhu, JJ
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2017/03/11
Influence of residual carbon impurities in i-GaN layer on the performance of GaN-based p-i-n photodetectors
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 1
作者:
Li, XJ
;
Zhao, DG
;
Jiang, D
;
Chen, P
;
Zhu, JJ
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浏览/下载:15/0
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提交时间:2017/03/11
Investigation of breakdown mechanism during field emission process of AlN thin film microscopic cold cathodee
期刊论文
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B, 2016, 卷号: 34, 期号: 1
作者:
Liang, F
;
Chen, P
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Liu, ZS
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2017/03/11
XPS study of impurities in Si-doped AlN film
期刊论文
SURFACE AND INTERFACE ANALYSIS, 2016, 卷号: 48, 期号: 12
作者:
Liang, F
;
Chen, P
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhao, ZJ
收藏
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浏览/下载:28/0
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提交时间:2017/03/11
The thickness design of unintentionally doped GaN interlayer matched with background doping level for InGaN-based laser diodes
期刊论文
AIP ADVANCES, 2016, 卷号: 6, 期号: 3
作者:
Chen, P
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
收藏
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浏览/下载:16/0
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提交时间:2017/03/11
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