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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2016    专题：苏州纳米技术与纳米仿生研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 透射电子显微镜物镜光阑 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN103198994B, 申请日期: 2016-06-22, 作者:  牛牧童;  吴东昌;  张锦平;  黄凯;  张燚 收藏  |  浏览/下载：80/0  |  提交时间：2017/03/13 Temperature-dependent cathodoluminescence investigation of Er-implanted GaN thin films 期刊论文 PHYSICA STATUS SOLIDI B-BASIC SOLID STATE PHYSICS, 2016, 卷号: 253, 期号: 3 作者:  Mo, YJ;  Wang, XD;  Yang, MM;  Zeng, XH(曾雄辉);  Wang, JF(王建峰) 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2017/03/11 Stress Induced Microstructure Evolution of AlN: Er Film at Different Annealing Temperature 期刊论文 JOURNAL OF INORGANIC MATERIALS, 2016, 卷号: 31, 期号: 3 作者:  Yang, MM(阳明明);  Mo, YJ;  Wang, XD;  Zeng, XH(曾雄辉);  Liu, XH(刘雪华) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2017/03/11 Investigation of low-temperature cathodoluminescence mechanism of Er-doped GaN thick films by ion implantation 期刊论文 CHINESE OPTICS LETTERS, 2016, 卷号: 14, 期号: 5 作者:  Wang, XD;  Mo, YJ;  Zeng, XH(曾雄辉);  Mao, HM;  Wang, JF(王建峰) 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2017/03/11 Cathodoluminescence properties of Pr, Tm co-implanted GaN thin films 期刊论文 OPTICAL MATERIALS EXPRESS, 2016, 卷号: 6, 期号: 5 作者:  Wang, XD;  Mo, YJ;  Yang, MM;  Zeng, XH(曾雄辉);  Wang, JF(王建峰) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2017/03/11