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内容类型
期刊论文 [81]
发表日期
2015 [81]
学科主题
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发表日期:2015
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Study of decay dynamics and CP asymmetry in D+ -> K(L)(0)e(+)nu(e) decay
期刊论文
PHYSICAL REVIEW D, 2015, 卷号: 92, 期号: 11
作者:
Ablikim, M
;
Achasov, MN
;
Ai, XC
;
Albayrak, O
;
Albrecht, M
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浏览/下载:41/0
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提交时间:2017/01/13
Charge-transport interfacial modification enhanced ultraviolet (UV)/near-UV phototransistor with high sensitivity and fast response speed
期刊论文
SYNTHETIC METALS, 2015, 卷号: 210, 页码: 230-235
作者:
Luo, X
;
Du, LL
;
Lv, WL
;
Sun, L
;
Li, Y
收藏
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2017/01/13
Interfacial modification
UV/near-UV
Fullerene
Phototransistor
Photocurrent multiplication
Measurement of the Absolute Branching Fraction for Lambda(+)(c) -> Lambda e(+)nu(e)
期刊论文
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2015, 卷号: 115, 期号: 22
作者:
Ablikim, M
;
Achasov, MN
;
Ai, XC
;
Albayrak, O
;
Albrecht, M
收藏
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浏览/下载:30/0
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提交时间:2017/01/13
Observation of a Neutral Structure near the D(D)over-bar* Mass Threshold in e(+)e(-) -> (D(D)over-bar*)(0)pi(0) at root s=4.226 and 4.257 GeV
期刊论文
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2015, 卷号: 115, 期号: 22
作者:
Ablikim, M
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浏览/下载:31/0
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提交时间:2017/01/13
Measurement of the branching fractions of D-s(+) -> eta ' X and D-s(+) -> eta 'rho(+) in e(+)e(-) -> Ds+Ds-
期刊论文
PHYSICS LETTERS B, 2015, 卷号: 750, 页码: 466-474
作者:
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2017/01/13
BESIII
D-s
Branching fractions
Confirmation of a charged charmoniumlike state Z(c)(3885)(-/+) in e(+)e(-) -> pi(+/-) (D(D)over-bar*)(-/+) with double D tag
期刊论文
PHYSICAL REVIEW D, 2015, 卷号: 92, 期号: 9
作者:
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2017/01/13
Observation of a Neutral Charmoniumlike State Z(c)(4025)(0) in e(+)e(-) -> (D*(D)over-bar*)(0)pi(0)
期刊论文
PHYSICAL REVIEW LETTERS, 2015, 卷号: 115, 期号: 18
作者:
收藏
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浏览/下载:9/0
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提交时间:2017/01/13
Study of dynamics of D-0 -> K(-)e(+)nu(e) and D-0 -> pi(-)e(+)nu(e) decays
期刊论文
PHYSICAL REVIEW D, 2015, 卷号: 92, 期号: 7
作者:
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2017/01/13
Measurement of the form factors in the decay D+ -> omega e(+)nu(e) and search for the decay D+ -> phi e(+)nu(e)
期刊论文
PHYSICAL REVIEW D, 2015, 卷号: 92, 期号: 7
作者:
收藏
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浏览/下载:7/0
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提交时间:2017/01/13
A striking performance improvement of fullerene n-channel field-effect transistors via synergistic interfacial modifications
期刊论文
JOURNAL OF PHYSICS D-APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 48, 期号: 40
作者:
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2017/01/13
fullerene
n-channel
organic field-effect transistor
interfacial modifications
gap state
time stability
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