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科研机构
武汉大学 [4]
内容类型
期刊论文 [4]
发表日期
2015 [4]
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发表日期:2015
专题:武汉大学
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Low Interface Trap Densities and Enhanced Performance of AlGaN/GaNMOS High-Electron Mobility Transistors Using Thermal Oxidized Y2O3 Interlayer
期刊论文
IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2015, 卷号: 36, 期号: 12
作者:
Liao, Chongnan
;
Zou, Xuming
;
Huang, Chun-Wei
;
Wang, Jingli
;
Zhang, Kai
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2019/12/05
AlGaN/GaN
metal-oxide-semiconductor HEMTs
Y2O3
interface engineering
(E)-alpha, beta-unsaturated amides from tertiary amines, olefins and CO via Pd/Cu-catalyzed aerobic oxidative N-dealkylation
期刊论文
CHEMICAL COMMUNICATIONS, 2015, 卷号: 51, 期号: 15
作者:
Shi, Renyi
;
Zhang, Hua
;
Lu, Lijun
;
Gan, Pei
;
Sha, Yuchen
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2019/12/05
White light emission from GaN stack layers doped by different rare-earth metals
期刊论文
JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2015, 卷号: 54, 期号: 2
作者:
Zhang, Lei
;
Liu, Chang
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提交时间:2019/12/05
A numerical study of the effects of migrating tides on thermosphere midnight density maximum
期刊论文
JOURNAL OF GEOPHYSICAL RESEARCH-SPACE PHYSICS, 2015, 卷号: 120, 期号: 8
作者:
Ruan, HB
;
Du, J
;
Cook, M
;
Wang, WB
;
Yue, J
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提交时间:2019/12/05
MDM
terdiurnal tide
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