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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2014     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 High Mobility Solution-Processed Hafnium Indium Zinc Oxide TFT With an Al-Doped ZrO2 Gate Dielectric 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2014, 卷号: 35, 页码: 554-556 作者:  Gao, Yana[1];  Li, Xifeng[2];  Chen, Longlong[3];  Shi, Jifeng[4];  Sun, Xiao Wei[5] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/04/30 Al-doped ZrO2  amorphrous  high mobility  solution  thin film transistor (TFT)   High-k titanium-aluminum oxide dielectric films prepared by inorganic-organic hybrid solution 期刊论文 JOURNAL OF SOL-GEL SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2014, 卷号: 71, 页码: 458-463 作者:  Peng, Juan[1];  Sheng, Chenhang[2];  Shi, Jifeng[3];  Li, Xifeng[4];  Zhang, Jianhua[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/30 Titanium-aluminum oxide (ATO)  Solution process  Amorphous  Relative permittivity  Leakage current density