QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2014     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Investigation of Threshold Ion Range for Accurate Single Event Upset Measurements in Both SOI and Bulk Technologies 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2014, 卷号: 61, 页码: 1459-1467 作者:  Luo, Jie;  Yao, Huijun;  Sun, Youmei;  Xi, Kai;  Geng, Chao 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2018/07/05 Bragg Peak  Ion Range  Silicon-on-insulator  Single Event Upset   Supply Voltage Dependence of Single Event Upset Sensitivity in Diverse SRAM Devices 会议论文 作者:  Su, Hong;  Zhang, Zhangang;  Lei, Zhifeng;  En, Yunfei;  Huang, Yun 收藏  |  浏览/下载：33/0  |  提交时间：2018/08/20 single event upset  supply voltage  static random access memeory  critical charge   Supply Voltage Dependence of Single Event Upset Sensitivity in Diverse SRAM Devices 会议论文 作者:  Liu, Tianqi;  Ji, CY;  En, YF;  Huang, Yun;  En, Yunfei 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2018/08/20 single event upset  supply voltage  static random access memeory  critical charge   Adjusting the electronic properties of silicon carbide nanoribbons by introducing edge functionalization 期刊论文 RSC ADVANCES, 2014, 卷号: 4, 期号: 66, 页码: 35042-35047 作者:  He, Yanqiong[1];  Zhang, Peng[2];  Hou, Xiuli[3];  Xu, Jiajia[4];  Wang, Meiqi[5] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/24