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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2014     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Characterization of oxygen impurity in silicon nitride storage layer: A first-principles investigation 期刊论文 Physica Status Solidi, 2014, 卷号: Vol.251 No.6, 页码: 1212-1218 作者:  Qi Liu;  Hongpeng Zhao;  Huifang Xu;  Jing Luo;  Yuehua Dai 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/04/22 charge  trapping  memory  first-principles  oxygen  silicon  nitride   Metal dopants in HfO2-based RRAM: first principle study 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2014, 卷号: Vol.35 No.4, 页码: 042002 作者:  Wang Jiayu;  Liu Qi;  Yang Fei;  Xu Jianbin;  Zhao Yuanyang 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/04/24 Effects of Non-Uniform Channel Geometry on Double-Gate MOSFET Performance 期刊论文 Telkomnika - Indonesian Journal of Electrical Engineering, 2014, 卷号: Vol.12 No.10 作者:  Yuehua, Dai;  Jianbin, Xu;  Jin, Yang;  Changyong, Zheng;  Huifang, Xu 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/04/24 double  gate  MOSFETs,  non-uniform  channel  geometry,  short-channel  effects,  on-state  current.