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半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201410464881.2, 申请日期: 2014-09-12,
作者:  殷华湘;  秦长亮;  王桂磊;  朱慧珑
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半导体器件制造方法 专利
专利号: CN201410459513.9, 申请日期: 2014-09-11,
作者:  殷华湘;  秦长亮;  马小龙;  王桂磊;  朱慧珑
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SiGe Selective Epitaxial Growth Process for 22 nm Node CMOS and Beyond 期刊论文
The Electrochemical Society, 2014
作者:  Xu Q(徐强);  Wang GL(王桂磊);  Ye TC(叶甜春);  Luo J(罗军);  Li CL(李春龙)
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半导体器件及其制造方法 专利
专利号: US8652891, 申请日期: 2014-02-18, 公开日期: 2013-01-29
作者:  徐秋霞;  殷华湘;  秦长亮;  陈大鹏
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