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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2013     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Numerical Electron Mobility Model of Nanoscale Symmetric, Asymmetric and Independent Double-Gate MOSFETs 期刊论文 journal of computational and theoretical nanoscience, 2013 He, Jin; Xu, Yiwen; Chen, Lin; Zhang, Lining; Zhou, Xingye; Ma, Chenyue; Cao, Yu; Ye, Yun; Wang, Cheng; Liang, Hailang; Chan, Mansun 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 DG MOSFETs  Mobility  Phonon Scattering  Surface Roughness Scattering  Symmetric and Asymmetric  Dependent and Independent  SI INVERSION-LAYERS  INTERFACE-ROUGHNESS DEPENDENCE  SURFACE-ROUGHNESS  LIMITED MOBILITY  VOLUME INVERSION  FIELD  PERFORMANCE  TRANSISTORS  DEVICE  CMOS