×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
近代物理研究所 [3]
内容类型
会议论文 [2]
期刊论文 [1]
发表日期
2013 [3]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共3条,第1-3条
帮助
限定条件
发表日期:2013
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Monte Carlo simulation based on Geant4 of single event upset induced by heavy ions
期刊论文
SCIENCE CHINA-PHYSICS MECHANICS & ASTRONOMY, 2013, 卷号: 56, 页码: 1120-1125
作者:
Zhang ZhanGang
;
Liu Jie
;
Geng Chao
;
Mo Dan
;
Yao HuiJun
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2018/07/05
Seu Occurrence
Sensitive Volume
Critical Charge
Deposited Energy
Mufpsa
Influence of Deposited Energy in Sensitive Volume on Temperature Dependence of SEU Sensitivity in SRAM Devices
会议论文
作者:
Liu, Tianqi
;
Geng, Chao
;
Zhang, Zhangang
;
Zhao, Fazhan
;
Hou, Mingdong
收藏
  |  
浏览/下载:29/0
  |  
提交时间:2018/08/20
Single event upset
temperature dependence
energy deposition
Monte Carlo simulation
SRAM
heavy ions
bulk and SOI technologies
Influence of Deposited Energy in Sensitive Volume on Temperature Dependence of SEU Sensitivity in SRAM Devices
会议论文
作者:
Liu, Jie
;
Sun, Youmei
;
Tong, Teng
;
Zhao, Fazhan
;
Zhang, Zhangang
收藏
  |  
浏览/下载:16/0
  |  
提交时间:2018/08/20
Single event upset
temperature dependence
energy deposition
Monte Carlo simulation
SRAM
heavy ions
bulk and SOI technologies
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace