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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2011    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Synthesis, structures and spectroscopic properties of new 1,2-bis[2-(4-methyl-7-acetylamino-1,8-naphthyridine)]ethylene ligand and its binuclear copper(i) complexes 期刊论文 Inorganica chimica acta, 2011, 卷号: 379, 期号: 1, 页码: 7-15 作者:  Li Zhan-Xian;  Li Cong;  Mu Wei-Hua;  Xiong Shao-Xiang;  Fu Wen-Fu 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2019/05/12 1,8-naphthyridine derivatives  Vinyl  Binuclear copper(i)  Crystal structures  Spectroscopic properties   Formation of rippled surface morphology during si/si (100) epitaxy by ultrahigh vacuum chemical vapour deposition 期刊论文 Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 7 作者:  Hu Wei-Xuan;  Cheng Bu-Wen;  Xue Chun-Lai;  Su Shao-Jian;  Wang Qi-Ming 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2019/05/12 Step-bunching  Ehrlich-chwoebel barrier  Elastic repulsion  Fluctuation   Strained and strain-relaxed epitaxial ge1-xsnx alloys on si(100) substrates 期刊论文 Chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 6, 页码: 5 作者:  Wang Wei;  Su Shao-Jian;  Zheng Jun;  Zhang Guang-Ze;  Zuo Yu-Hua 收藏  |  浏览/下载：112/0  |  提交时间：2019/05/12 Gesn alloys  Strained  Strain-relaxed  Molecular beam epitaxy   Epitaxial growth of ge0.975sn0.025 alloy films on si(001) substrates by molecular beam epitaxy 期刊论文 Acta physica sinica, 2011, 卷号: 60, 期号: 2, 页码: 5 作者:  Su Shao-Jian;  Wang Wei;  Zhang Guang-Ze;  Hu Wei-Xuan;  Bai An-Qi 收藏  |  浏览/下载：86/0  |  提交时间：2019/05/12 Gesn  Ge  Molecular beam epitaxy  Epitaxial growth   Formation of rippled surface morphology during Si/Si (100) epitaxy by ultrahigh vacuum chemical vapour deposition 期刊论文 chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 12, 页码: 126801 Hu WX (Hu Wei-Xuan); Cheng BW (Cheng Bu-Wen); Xue CL (Xue Chun-Lai); Su SJ (Su Shao-Jian); Wang QM (Wang Qi-Ming) 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2012/02/22