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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2011 [5]
学科主题
半导体材料 [5]
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发表日期:2011
学科主题:半导体材料
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Computational Investigation of InxGa1-xN/InN Quantum-Dot Intermediate-Band Solar Cell
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 1, 页码: article no.18401
作者:
Deng QW
;
Hou QF
;
Bi Y
;
Yin HB
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浏览/下载:41/5
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提交时间:2011/07/05
EFFICIENCY
Influence of electric field on persistent photoconductivity in unintentionally doped n-type GaN
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 10, 页码: article no.102104
作者:
Deng QW
收藏
  |  
浏览/下载:47/5
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提交时间:2011/07/05
QUANTUM-WELL-STRUCTURE
ALGAN/GAN HETEROSTRUCTURE
YELLOW LUMINESCENCE
DEEP LEVELS
TRAP
PERFORMANCE
FREQUENCY
EPILAYERS
ORIGIN
DIODES
Cathodoluminescence of Yellow and Blue Luminescence in Undoped Semi-insulating GaN and n-GaN
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 3, 页码: article no.37102
Hou QF
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yang CB
;
Yin HB
;
Li JM
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:40/4
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提交时间:2011/07/05
EPITAXIAL LAYERS
PHOTOLUMINESCENCE
ABSORPTION
CARBON
BAND
InGaN/GaN multiple quantum well solar cells with an enhanced open-circuit voltage
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 2, 页码: article no.28402
作者:
Hou QF
;
Yin HB
收藏
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浏览/下载:43/6
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提交时间:2011/07/05
InGaN
solar cell
multiple quantum wells
IN1-XGAXN ALLOYS
BAND-GAP
INN
Theoretical study on InxGa1-xN/GaN quantum dots solar cell
期刊论文
physica b-condensed matter, 2011, 卷号: 406, 期号: 1, 页码: 73-76
作者:
Hou QF
;
Yin HB
;
Deng QW
收藏
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浏览/下载:92/9
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提交时间:2011/07/05
Efficiency
Quantum dot
GaN
EFFICIENCY
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