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科研机构
半导体研究所 [10]
内容类型
期刊论文 [10]
发表日期
2011 [10]
学科主题
半导体材料 [10]
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发表日期:2011
学科主题:半导体材料
内容类型:期刊论文
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Design and optimization of evanescently coupled waveguide photodiodes
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 10, 页码: 104006
Yao, Chen
;
Cheng, Yuanbing
;
Wu, Jian
;
Xu, Kun
;
Qiu, Jifang
;
Zhao, Lingjuan
;
Wang, Wei
;
Lin, Jintong
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2012/06/14
Beam propagation method
Communication systems
Optical communication
Optimization
Waveguides
Extraction of AlGaN/GaN heterostructure Schottky diode barrier heights from forward current-voltage characteristics
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 7, 页码: article no.74512
Lv YJ
;
Lin ZJ
;
Corrigan TD
;
Zhao JZ
;
Cao ZF
;
Meng LG
;
Luan CB
;
Wang ZG
;
Chen H
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浏览/下载:64/6
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提交时间:2011/07/05
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
GAN
DEPENDENCE
CONTACTS
STATES
NI
Influence of thermal stress on the characteristic parameters of AlGaN/GaN heterostructure Schottky contacts
期刊论文
chinese physics b, 2011, 卷号: 20, 期号: 4, 页码: article no.47105
Lu YJ
;
Lin ZJ
;
Zhang Y
;
Meng LG
;
Cao ZF
;
Luan CB
;
Chen H
;
Wang ZG
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浏览/下载:57/2
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提交时间:2011/07/05
AlGaN/GaN heterostructures
thermal stressing
polarization
self-consistently solving Schrodinger's and Poisson's equations
FIELD-EFFECT TRANSISTORS
POLARIZATION
STABILITY
CHARGE
GAN
Polarization Coulomb field scattering in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors
期刊论文
applied physics letters, 2011, 卷号: 98, 期号: 12, 页码: article no.123512
Lv YJ
;
Lin ZJ
;
Zhang Y
;
Meng LG
;
Luan CB
;
Cao ZF
;
Chen H
;
Wang ZG
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浏览/下载:67/9
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提交时间:2011/07/05
2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS
INTERFACIAL LAYER
MOBILITY
Behavioural investigation of InN nanodots by surface topographies and phase images
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 44, 页码: 445306
Deng, QW
;
Wang, XL
;
Xiao, HL
;
Wang, CM
;
Yin, HB
;
Chen, H
;
Lin, DF
;
Li, JM
;
Wang, ZG
;
Hou, X
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提交时间:2012/01/06
QUANTUM DOTS
SOLAR-CELLS
GROWTH
FILMS
GAN
Comparison of as-grown and annealed GaN/InGaN:Mg samples
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 34, 页码: 345101
Deng QW
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yin HB
;
Chen H
;
Lin DF
;
Jiang LJ
;
Feng C
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Hou X
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2012/01/06
LIGHT-EMITTING-DIODES
VAPOR-PHASE EPITAXY
BAND-GAP
MG
PHOTOLUMINESCENCE
INGAN
DEPENDENCE
STRAIN
ENERGY
INN
An investigation on InxGa1-xN/GaN multiple quantum well solar cells
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 26, 页码: art. no. 265103
作者:
Yin HB
;
Lin DF
;
Hou QF
;
Deng QW
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浏览/下载:36/2
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提交时间:2011/07/07
FUNDAMENTAL-BAND GAP
PHASE-SEPARATION
EFFICIENCY
INN
EMISSION
LAYERS
MODEL
The transport mechanism of gate leakage current in AlGaN/GaN high electron mobility transistors
期刊论文
european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 55, 期号: 3, 页码: 30104
作者:
Deng QW
;
Hou QF
;
Bi Y
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2011/09/14
GAN
An investigation on In(x)Ga(1-x)N/GaN multiple quantum well solar cells
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 26, 页码: 265103
Deng QW
;
Wang XL
;
Xiao HL
;
Wang CM
;
Yin HB
;
Chen H
;
Hou QF
;
Lin DF
;
Li JM
;
Wang ZG
;
Hou X
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/01/06
FUNDAMENTAL-BAND GAP
PHASE-SEPARATION
EFFICIENCY
INN
EMISSION
LAYERS
MODEL
Low temperature characteristics of AlGaN/GaN high electron mobility transistors
期刊论文
european physical journal-applied physics, 2011, 卷号: 56, 期号: 1, 页码: 10101
Lin DF (Lin D. F.)
;
Wang XL (Wang X. L.)
;
Xiao HL (Xiao H. L.)
;
Wang CM (Wang C. M.)
;
Qiang LJ (Qiang L. J.)
;
Feng C (Feng C.)
;
Chen H (Chen H.)
;
Hou QF (Hou Q. F.)
;
Deng QW (Deng Q. W.)
;
Bi Y (Bi Y.)
;
Kang H (Kang H.)
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2012/02/21
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