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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2010     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 InAsP/InGaAsP量子阱为有源层的垂直腔面发射激光器及方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101685942, 申请日期: 2010-03-31, 公开日期: 2010-03-31 劳燕锋; 曹春芳; 吴惠桢; 刘成; 曹萌 收藏  |  浏览/下载：27/0  |  提交时间：2012/01/06 InAsP/InGaAsP量子阱为有源层的垂直腔面发射激光器及方法 专利 专利号: CN101685942A, 申请日期: 2010-03-31, 公开日期: 2010-03-31 作者:  劳燕锋;  曹春芳;  吴惠桢;  刘成;  曹萌 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/31