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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2010    专题：高能物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464 作者:  Zhao, DG;  Jiang, DS;  Zhu, JJ;  Wang, H;  Liu, ZS 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2016/06/28 Nitride materials  Crystal growth  X-ray diffraction   Role of Ga vacancies in enhancing the leakage current of GaN Schottky barrier ultraviolet photodetectors 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2010, 卷号: 19, 期号: 5, 页码: 57802 作者:  Zhao, DG;  Zhang, S;  Liu, WB;  Hao, XP;  Jiang, DS 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2016/06/29 Ga vacancies  MOCVD  GaN  Schottky barrier photodetector