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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2010    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Theoretical gain of strained GeSn0.02/Ge1-x-y ' SixSny ' quantum well laser 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 7, 页码: art. no. 073108 Zhu YH (Zhu Yuan-Hui); Xu Q (Xu Qiang); Fan WJ (Fan Wei-Jun); Wang JW (Wang Jian-Wei) 收藏  |  浏览/下载：67/3  |  提交时间：2010/05/07 ALLOYS  GE   Band crossing in isovalent semiconductor alloys with large size mismatch: First-principles calculations of the electronic structure of Bi and N incorporated GaAs 期刊论文 physical review b, 2010, 卷号: 82, 期号: 19, 页码: art. no. 193204 Deng HX (Deng Hui-Xiong); Li JB (Li Jingbo); Li SS (Li Shu-Shen); Peng HW (Peng Haowei); Xia JB (Xia Jian-Bai); Wang LW (Wang Lin-Wang); Wei SH (Wei Su-Huai) 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2010/12/27 IMPURITIES  GAAS1-XNX  NITROGEN  GAINNAS  STATES  TRAPS   Donor-donor binding in In2O3: Engineering shallow donor levels 期刊论文 journal of applied physics, 2010, 卷号: 107, 期号: 8, 页码: art. no. 083704 Tang LM (Tang Li-Ming); Wang LL (Wang Ling-Ling); Wang D (Wang Dan); Liu JZ (Liu Jian-Zhe); Chen KQ (Chen Ke-Qiu) 收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2010/05/24 AUGMENTED-WAVE METHOD  ELECTRONIC-STRUCTURE  SEMICONDUCTORS  FILMS  ZNSE  ZNTE