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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Thickness dependent dislocation, electrical and optical properties in InN films grown by MOCVD 期刊论文 acta physica sinica, 2009, 卷号: 58, 期号: 5, 页码: 3416-3420 作者:  Li Y;  Chen P;  Jiang DS;  Wang H;  Wang ZG 收藏  |  浏览/下载：49/4  |  提交时间：2010/03/08 InN  dislocation  carrier origination  localization   A comparison of silicon oxide and nitride as host matrices on the photoluminescence from Er3+ ions 期刊论文 chinese physics b, 2009, 卷号: 18, 期号: 7, 页码: 3044-3048 Ding WC; Liu Y; Zhang Y; Guo JC; Zuo YH; Cheng BW; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：117/2  |  提交时间：2010/03/08 Er doping  silicon nitride  photoluminescence