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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2008    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth and fabrication of AlGaN/GaN HEMT based on Si(111) substrates by MOCVD 期刊论文 microelectronics journal, 2008, 卷号: 39, 期号: 9, 页码: 1108-1111 Luo, WJ; Wang, XL; Xiao, HL; Wang, CM; Ran, JX; Guo, LC; Li, JP; Liu, HX; Chen, YL; Yang, FH; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/03/08 AlGaN/GaN  high electron mobility transistor (HEMT)  Si (111)   Single-electron tunneling depressing synapse for cellular neural networks 期刊论文 neural computing & applications, 2008, 卷号: 17, 期号: 2, 页码: 111-118 Li, N; Lu, HX 收藏  |  浏览/下载：50/0  |  提交时间：2010/03/08 cellular non-linear networks (CNN)  depressing synapses  single-electron tunneling (SET)  tunneling junction  SPICE   Structure and magnetic characteristics of nonpolar a-plane GaN : Mn films 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 16, 页码: art. no. 165004 Sun, LL; Yan, FW; Gao, HY; Zhang, HX; Zeng, YP; Wang, GH; Li, JM 收藏  |  浏览/下载：48/0  |  提交时间：2010/03/08 P-TYPE GAN  SAPPHIRE  PROPERTY   A fully three-dimensional atomistic quantum mechanical study on random dopant-induced effects in 25-nm MOSFETs 期刊论文 ieee transactions on electron devices, 2008, 卷号: 55, 期号: 7, 页码: 1720-1726 Jiang, XW; Deng, HX; Luo, JW; Li, SS; Wang, LW 收藏  |  浏览/下载：153/1  |  提交时间：2010/03/08 dopant fluctuation  linear combination of bulk band (LCBB)  MOSFET  quantum mechanical  threshold  3-D   Multiple valley couplings in nanometer Si metal-oxide-semiconductor field-effect transistors 期刊论文 journal of applied physics, 2008, 卷号: 103, 期号: 12, 页码: art. no. 124507 Deng, HX; Jiang, XW; Luo, JW; Li, SS; Xia, JB; Wang, LW 收藏  |  浏览/下载：65/5  |  提交时间：2010/03/08 SIMULATION  MOSFETS  SUPERLATTICES  REGIME  LIMIT