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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2008    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of spacer layer thickness on the current-voltage characteristics of pseudomorphic AlAs/In0.53Ga0.47As/InAs resonant tunnelling diodes 期刊论文 chinese physics b, 2008, 卷号: 17, 期号: 4, 页码: 1472-1474 Zhang, Y; Han, CL; Gao, JF; Zhu, ZP; Wang, BQ; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：56/6  |  提交时间：2010/03/08 resonant tunnelling diode  molecular beam epitaxy