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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2006    专题：高能物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Comparison of valence band x-ray photoelectron spectrum between Al-N-codoped and N-doped ZnO films 期刊论文 APPLIED PHYSICS LETTERS, 2006, 卷号: 88, 期号: 6, 页码: 602110 作者:  Cong, GW;  Peng, WQ;  Wei, HY;  Han, XX;  Wu, JJ 收藏  |  浏览/下载：75/0  |  提交时间：2016/06/29 Crack control in GaN grown on silicon (111) using In doped low-temperature AlGaN interlayer by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 OPTICAL MATERIALS, 2006, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 1227-1231 作者:  Wu, JJ;  Han, XX;  Li, JM;  Wei, HY;  Cong, GW 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2016/06/29 in doping  cracks  Si(111) substrate  LT-AlGaN interlayer  metalorganic chemical vapor deposition  GaN   Aluminium doping induced enhancement of p-d coupling in ZnO 期刊论文 JOURNAL OF PHYSICS-CONDENSED MATTER, 2006, 卷号: 18, 期号: 11, 页码: 3081-3087 作者:  Cong, GW;  Peng, WQ;  Wei, HY;  Liu, XL;  Wu, JJ 收藏  |  浏览/下载：41/0  |  提交时间：2016/06/29 Temperature dependence of the formation of nano-scale indium clusters in InAlGaN alloys on Si(111) substrates 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2006, 卷号: 17, 期号: 5, 页码: 1251-1254 作者:  Wu, JJ;  Li, JM;  Cong, GW;  Wei, HY;  Zhang, PF 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2016/06/29