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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2005    专题：兰州大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 电力SITH阳极造型对耐电容量的影响及提高 期刊论文 兰州大学学报, 2005, 期号: 5, 页码: 3 作者:  胡冬青;  李思渊;  王永顺 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/04/27 电力SITH  阻断电压  阳极造型  关断损耗   台面刻蚀对电力SITH器件特性的影响 期刊论文 兰州大学学报, 2005, 期号: 2, 页码: 92-94 作者:  拥冬青;  李思渊;  王永顺 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/27 静电感应品闸管  台面刻蚀  Ⅰ-Ⅴ特性   Space Charges Effect of Static Induction Transistor 期刊论文 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 卷号: 26, 期号: 3, 页码: 423-428 作者:  Chen JH(陈金伙);  Liu S(刘肃);  Wang YS(王永顺);  Li SY(李思渊);  Zhang FJ(张福甲) 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/04/28 静电感应晶体管  空间电荷效应  空间电荷势垒  沟道势垒  SCLC  CVBC  Channel barrier  Channel voltage barrier control (CVBC)  I-V equation  Space charge effect (SCE)  Space charge limited control (SCLC)  Space charge potential barrier  Static induction transistor (SIT)   Analysis on Characteristic of Static Induction Transistor Using Mirror Method 期刊论文 半导体学报/Pan Tao Ti Hsueh Pao/Chinese Journal of Semiconductors, 2005, 卷号: 26, 期号: 2, 页码: 258-265 作者:  Hu DQ(胡冬青);  Li SY(李思渊);  Wang YS(王永顺) 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/04/28 静电感应晶体管  镜像法  I-V特性  Channel over pinch-off factor  Cylindrical gate model  Gate efficiency  I-V characteristics  Mirror method  Potential distribution  Static induction transistor (SIT)  Voltage amplification factor