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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2004    专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 A simple and effective route for the synthesis of crystalline silver nanorods and nanowires 期刊论文 先进功能材料, 2004 Hu, JQ; Chen, Q; Xie, ZX; Han, GB; Wang, RH; Ren, B; Zhang, Y; Yang, ZL; Tian, ZQ 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2015/11/12 ENHANCED RAMAN-SCATTERING  WET CHEMICAL-SYNTHESIS  LARGE-SCALE SYNTHESIS  SHAPE-CONTROL  CDSE NANOCRYSTALS  POLYOL PROCESS  GOLD NANORODS  COLLOIDS  MECHANISMS  GROWTH   Universality of electron mobility in Ge MOSFETs investigated by Monte Carlo simulation 其他 2004-01-01 Xia, ZL; Du, G; Liu, XY; Kang, JF; Han, RQ 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 INVERSION LAYER MOBILITY  TRANSPORT   Scaling properties of GOI MOSFETs in naon scale by full band Monte Carlo simulation 其他 2004-01-01 Liu, XY; Du, G; Xia, ZL; Kang, JF; Wang, Y; Han, RQ; Yu, HY; Li, MF; Kwong, DL 收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/11/13 Monte Carlo  GOI  scaling  quantum effect  TRANSPORT  SEMICONDUCTORS  DEVICES   Monte Carlo simulation of hole non-stationary transports in UTB SOI rpMOSFET 其他 2004-01-01 Du, G; Liu, XY; Xia, ZL; Han, RQ 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 IMPACT-IONIZATION MODEL  ELECTRON-TRANSPORT   Computational investigation of velocity overshoot effects in double gate MOSFETs 其他 2004-01-01 Hou, DQ; Xia, ZL; Du, G; Liu, XY; Wang, Y; Kang, JF; Han, RQ 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2015/11/13 SILICON INVERSION-LAYERS  TRANSISTORS  SIMULATION   Novel Schottky barrier MOSFET with dual-layer silicide source/drain structure 其他 2004-01-01 Li, DY; Sun, L; Xia, ZL; Zhang, SD; Liu, XY; Kang, JF; Han, RQ 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 TRANSISTORS