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科研机构
半导体研究所 [6]
内容类型
期刊论文 [5]
会议论文 [1]
发表日期
2001 [6]
学科主题
半导体材料 [2]
半导体物理 [2]
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发表日期:2001
专题:半导体研究所
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Thermal redistribution of photocarriers between bimodal quantum dots
期刊论文
Journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 4, 页码: 1973-1976
作者:
Zhang, YC
;
Huang, CJ
;
Liu, FQ
;
Xu, B
;
Wu, J
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浏览/下载:26/0
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提交时间:2019/05/12
Size and shape evolution of self-assembled coherent inas/gaas quantum dots influenced by seed layer
期刊论文
Journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 页码: 1005-1009
作者:
Liu, HY
;
Xu, B
;
Ding, D
;
Chen, YH
;
Zhang, JF
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2019/05/12
Low dimensional structures
Molecular beam epitaxy
Nanomaterials
Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2010/11/15
low dimensional structures
molecular beam epitaxy
nanomaterials
INAS ISLANDS
GAAS
GROWTH
GAAS(100)
THICKNESS
DENSITY
Size and shape evolution of self-assembled coherent InAs/GaAs quantum dots influenced by seed layer
期刊论文
journal of crystal growth, 2001, 卷号: 227, 期号: 0, 页码: 1005-1009
作者:
Xu B
收藏
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浏览/下载:125/19
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提交时间:2010/08/12
low dimensional structures
molecular beam epitaxy
nanomaterials
INAS ISLANDS
GAAS
GROWTH
GAAS(100)
THICKNESS
DENSITY
Thermal redistribution of photocarriers between bimodal quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2001, 卷号: 90, 期号: 4, 页码: 1973-1976
作者:
Ye XL
;
Xu B
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浏览/下载:85/5
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提交时间:2010/08/12
TEMPERATURE-DEPENDENCE
CARRIER RELAXATION
EMISSION
Annealing-induced evolution of defects in low-temperature-grown GaAs-related materials
期刊论文
physical review b, 2001, 卷号: 63, 期号: 11, 页码: art.no.115324
Zhang MH
;
Guo LW
;
Li HW
;
Li W
;
Huang Q
;
Bao CL
;
Zhou JM
;
Liu BL
;
Xu ZY
;
Zhang YH
;
Lu LW
收藏
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浏览/下载:97/7
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提交时间:2010/08/12
BEAM-EPITAXIAL GAAS
SPATIAL LIGHT MODULATORS
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
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